Samsung HBM4: resa produttiva vicina all'80%, boom in vista

Arrivano buone notizie dal fronte della memoria ad alta larghezza di banda per Samsung Electronics: stando a quanto riporta il quotidiano coreano Seoul Economic Daily, citando fonti interne al settore, la resa produttiva (il cosiddetto yield, cioè la percentuale di chip funzionanti per ogni wafer lavorato) delle memorie HBM4 avrebbe quasi raggiunto quota 80%. Un traguardo notevole, considerando che l'azienda si era data come obiettivo di arrivarci entro la fine del 2026.

La vera domanda da farsi ora è se questo sia l'inizio di un trend più ampio o un caso isolato.

La strada percorsa è stata tutt'altro che semplice. Quando Samsung aveva avviato la produzione iniziale di HBM4 a febbraio di quest'anno, il yield si attestava attorno al 60%, un livello insufficiente per una commercializzazione su larga scala nel mercato DRAM. Questo aveva costretto il colosso coreano a limitare il volume di wafer destinati a questa tipologia di memoria, frenando di fatto la crescita della capacità produttiva.

Ora che i rendimenti di fabbricazione sono in netto miglioramento, Samsung si trova in una posizione molto più solida: può finalmente allocare una quota maggiore della propria capacità produttiva DRAM verso l'HBM4, con ritorni economici decisamente più interessanti. Noi di telefoni.net vi segnaliamo che, secondo le stesse fonti, l'azienda punta a triplicare le vendite di HBM4 nel trimestre corrente rispetto a quello precedente.

Gli obiettivi per il secondo semestre sono ambiziosi: Samsung vorrebbe portare i ricavi derivanti dall'HBM al 60% del fatturato complessivo HBM entro la fine dell'anno, raggiungendo una quota di mercato nel segmento HBM paragonabile alla sua presenza nel mercato DRAM generale. Una mossa che potrebbe ridefinire gli equilibri nel settore delle memorie ad alto consumo, dove finora competitor come SK Hynix hanno mantenuto un vantaggio significativo, soprattutto nelle forniture destinate ai chip AI di NVIDIA.