Samsung HBM: base die a 2nm entro due anni, continua la sfida a TSMC

Samsung sta riconfigurand una linea di produzione in costruzione per fabbricare i base die degli HBM (High Bandwidth Memory), la memoria cruciale per i server e i sistemi di intelligenza artificiale. Secondo fonti riportate da Wccftech, la casa coreana utilizzerà il processo produttivo a 2nm, con avvio stimato entro circa due anni. Resta da confermare se questa tempistica subirà variazioni rispetto ai piani attuali.

I base die rappresentano una componente sempre più sofisticata nel ciclo evolutivo degli HBM. Fino a pochi anni fa, questi elementi utilizzavano logiche produttive mature tra i 20 e i 12 nanometri, affidate ai foundry specializzati. Con l'arrivo degli HBM3 e HBM3E, la velocità di trasferimento dati è cresciuta significativamente, richiedendo geometrie più avanzate e maggiore integrazione dei through-silicon via (TSV, i "canali" verticali nel silicio). Samsung e TSMC hanno iniziato allora a investire risorse proprie in questa direzione, proprio come sta facendo adesso Samsung con questa mossa strategica verso i 2nm.

La scelta di Samsung ha un significato geopolitico rilevante: mentre TSMC rimane il leader indiscusso nella fonderia mondiale, il colosso coreano sta cercando di costruire una filiera HBM quasi completamente indipendente. SK Hynix, l'altro grande produttore di memoria, ha scelto una strada diversa, collaborando con TSMC per accedere ai processi N12 e N5 per la realizzazione dei propri chip HBM. Questa diversificazione, al momento, non riguarda il mercato italiano in senso diretto—gli HBM sono componenti B2B destinate a data center e infrastrutture cloud—ma il risultato finale influisce sulla disponibilità e sul costo dei servizi IA e cloud che utilizziamo quotidianamente.

Samsung affronta una sfida enorme: mantenere il passo con TSMC in termini di affidabilità produttiva e riduzione dei difetti è più difficile della semplice acquisizione di un processo tecnologico. Come abbiamo visto con altri progetti di Samsung nel settore chip, gli investimenti non sempre si traducono in ritorni proporzionali nel breve termine. Tuttavia, il mercato della memoria ad altissima larghezza di banda per IA e GPU è crescente e redditizio, il che rende questa scommessa ragionevole dal punto di vista economico.

Sulla carta funziona. Nella pratica, si vedrà.

La redazione di telefoni.net ritiene che il 2nm per i base die sia una mossa logica e ponderata: consente a Samsung di differenziarsi come produttore di memoria completa, non solo di DRAM e NAND, e di ridurre la dipendenza da TSMC nelle catene di approvvigionamento. Se i tempi di avvio si rispetteranno, Samsung potrebbe iniziare a fornire HBM4 con base die proprietari intorno al 2026-2027, proprio quando la domanda di memoria per intelligenza artificiale dovrebbe toccare picchi ancora più elevati.